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        若vg为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。

        若使vg为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

        闪存的基本单元电路，与eepro类似，也是由双层浮空栅os管组成。

        但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。

        写入方法与eepro相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。

        读出方法与epro相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。

        由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

        相比于第一种nor闪存。

        第二种闪存称为nand闪存。

        它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。

        nand闪存的写周期比nor闪存短90，它的保存与删除处理的速度也相对较快。

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