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        1988年，英特尔公司推出了一款256kbit闪存芯片。

        它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。

        后来，英特尔发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合epro（可擦除可编程只读存储器）和eepro（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个sra接口。

        epro是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。

        其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式os电路，简称为faos。

        它与os电路相似，是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区，通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。

        在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中，与四周无直接电气联接。

        这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使os管导通，即表示存入0。

        若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，os管不导通，即存入1。

        eepro基本存储单元电路的工作原理与epro相似，它是在epro基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。

        可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压vg。

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